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?液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現(xiàn)SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實現(xiàn)晶體的生長。
LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長。
? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜
專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)，加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計，提供工藝腔的潔凈度。
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長