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? 本設備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長
? 籽晶的粘接工藝技術是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨紙上，提高籽晶粘接質量是保證高品質SiC晶體生長的首要前提。
? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態(tài)好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
◆ 主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長 ◆ 設備由機架、安部支撐機構、加熱器和控制系統(tǒng)組成 ◆ 能夠實現(xiàn)安移動和轉動的精確控制