產(chǎn)品展示
產(chǎn)品中心
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
◆ 主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長 ◆ 設備由機架、安部支撐機構、加熱器和控制系統(tǒng)組成 ◆ 能夠?qū)崿F(xiàn)安移動和轉(zhuǎn)動的精確控制
? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學反應而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設備裝片量大，特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)
? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學反應而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設備裝片量大，特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)
? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態(tài)，產(chǎn)生大量的活性基團，這些活性基團在襯底材料表面發(fā)生化學反應并沉積到襯底表面，生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
? 該設備是半導體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ? 設計了硅片生產(chǎn)的多種工藝性能需要，具有生長效率高、產(chǎn)品性能優(yōu)越的特點 ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點 ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝