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氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng) ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)
氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 立式
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng) ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)
? 本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長(zhǎng)
? 籽晶的粘接工藝技術(shù)是將SiC籽晶通過(guò)有機(jī)膠粘接在石墨紙上，提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高品質(zhì)SiC晶體生長(zhǎng)的首要前提。
? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過(guò)等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝 ? 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度
◆ 主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長(zhǎng) ◆ 設(shè)備由機(jī)架、安部支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成 ◆ 能夠?qū)崿F(xiàn)安移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)的精確控制
? LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長(zhǎng),它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過(guò)程是在低壓下進(jìn)行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長(zhǎng)的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設(shè)備裝片量大，特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)