SiC高溫氧化設(shè)備

所屬分類：

第三代半導(dǎo)體工藝設(shè)備

第一代半導(dǎo)體工藝設(shè)備

概要：

? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié) ? 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度

關(guān)鍵詞：

SiC高溫氧化

SiC高溫氧化設(shè)備

產(chǎn)品概述/Product Introduction：

♦ 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N?O、NO、NO?,是最安全的毒性氣體氧化爐

Specially used for oxidation treatment of silicon-carbon compounds (SiC), which can realize the high-temperature oxidation process of SiC sheets in high-temperature vacuum environment. The oxidation process uses wet oxidation gas or N?O, NO and NO?, which is the safest oxidizing furnace for toxic gas.

♦ 設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)

The equipment is suitable for the high temperature oxidation process in the manufacture of SiC-based power devices

♦ 加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度

The heating chamber and the process chamber are designed independently and sealed to provide the cleanliness of the process chamber

產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：

♦ 采用立式結(jié)構(gòu)、工藝控制好、溫度分布均勻、氣流穩(wěn)定

The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable

♦ Robot自動(dòng)傳送(可選)

Robot Auto Transfer (Optional)

♦ 多點(diǎn)控溫，溫度均勻

Multi-point temperature control, uniform temperature

♦ 具有多種報(bào)警功能及安全保護(hù)功能