PECVD 臥式
所屬分類：
第一代半導體工藝設備
概要：
? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態(tài)，產生大量的活性基團，這些活性基團在襯底材料表面發(fā)生化學反應并沉積到襯底表面，生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
關鍵詞：
PECVD (立式/臥式)
PECVD 臥式
產品概述/Product Introduction：
♦ PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態(tài)，產生大量的活性基團，這些活性基團在襯底材料表面發(fā)生化學反應并沉積到襯底表面，生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
PECVD is mainly used for thin film growth of silicon oxide (SiO?) and silicon nitride (SiN4) materials, The working principle is to introduce a high-frequency RF power supply at low voltage, ionize and discharge the process gas by capacitive coupling, and form a plasma state, which produces a large number of active groups. These active groups react chemically on the surface of the substrate material and depos- it on the bottom surface of the village, and grow silicon oxide (SiO?) or silicon nitride (SiN4) thin films.
產品特點/Product Characteristics：
♦ 成膜質量高
High film quality
♦ 體積小占地面積小，操作簡便
Small volume, small floor area and simple operation
♦ 具有良好的工藝性能，使用范圍廣泛
Has good process performance and wide application range
技術指標/Technical Indicators：
|
晶片尺寸:最大8英寸 Wafer size: Max. 8 inches |
溫度:50°C-900°C Temperature: 50°C-900°C |
|
真空系統(tǒng):干泵+分子泵 Vacuum system: dry pump + molecular pump |
|
應用范圍/Scope：
♦ 應用于半導體器件、電力電子器件、光電子等行業(yè)氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiO?) 薄膜的制備
It can be used to prepare silicon oxide (SiO?) or silicon nitride (SiO?) thin films in semiconductor de- vices, power electronic devices, optoelectronics and other industries
上一個
氧化/擴散設備
下一個